Siempre que escribimos una noticia relacionada con el futuro Samsung Galaxy S10 contamos los días que quedan hasta su presentación, el próximo 20 de febrero. Son tan pocos que el volumen de filtraciones y novedades en torno a esta nueva familia de smartphones es altísimo. No solo en forma de filtraciones no confirmadas, Samsung también desvela novedades importantes.
Sabíamos que los modelos más potentes (y caros) de Samsung Galaxy S10 iban a disponer de hasta 1 TB de almacenamiento. Estaba en duda dado que no existían módulos con esa capacidad; por más que Samsung pudiese decantarse por incluir dos de 512 GB. Pues bien: a algo más de 20 días de la fecha «S10» Samsung desvela una memoria V-NAND de… ¡Tachán! 1 TB de almacenamiento. Imagina dónde irá destinada.
Nuevas memorias V-NAND eUFS 2.1 de Samsung: 1 TB de almacenamiento en el móvil
Este nuevo módulo de memoria va destinado a los móviles de la máxima categoría, como el futuro Samsung Galaxy S10 Plus (y posible Samsung Galaxy S10 X, el que dispondría de conectividad 5G). La noticia forma parte de una comunicación oficial de Samsung en su blog de prensa; sin que asegure que su destino sea el Galaxy S10 por más que esté más que claro.
En términos de especificaciones, el nuevo módulo de almacenamiento dispondría de las siguientes características:
- 1 TB de almacenamiento eUFS 2.1.
- Tamaño reducido: 11.5 x 13.0 mm (idéntico al anterior módulo de 512 GB).
- Velocidad de lectura secuencial: 1000 MB/s.
- Velocidad de escritura secuencial: 260 MB/s.
- Velocidad de lectura aleatoria: 58 000 IOPS.
- Velocidad de escritura aleatoria: 50 000 IOPS.
- Puede almacenar hasta 2600 minutos de vídeo 4K.
El anuncio de Samsung no solo hace alusión al componente en sí, también asegura que la nueva memoria de 1 TB en un solo módulo V-NAND se encuentra en pleno proceso de fabricación en masa dentro de las plantas de la empresa. Esto implica que estará a punto para cuando el Samsung Galaxy S10 se encuentre disponible en las tiendas: según los rumores, a comienzos de marzo.