Las memorias UFS son una parte bastante importante de un smartphone que a veces se pasa por alto al poner en primer plano siempre a la cantidad en un teléfono. El fabricante de teléfonos ha anunciado hace unas horas UFS 4.0 que usa la memoria Gen 7 V-NAND de Samsung con un controlador con mayor velocidad de lectura.
Lecturas más rápidas con UFS 4.0 en tu móvil
De hecho, actualmente la mayoría de los teléfonos flagship cuentan con UFS 3.0 o 3.1. Esta tecnología se nota cuando, por ejemplo, se pasan archivos entre la microSD y la memoria interna o se pasan al PC, aunque también para cualquier copia o pegado de los mismos en el móvil.
La compañía coreana ha anunciado a través de su cuenta de Twitter su nueva memoria UFS 4.0 que utiliza Gen 7 V-NAND y un controlador propio con velocidades de memoria secuenciales de hasta 4.200 MB/s y escritura de memoria secuencial de hasta 2.800 MB/s.
Esta nueva tecnología también se caracteriza por ofrecer una mejora del 46 % en la eficiencia energética en velocidades de lectura secuenciales si se compara a la generación anterior.
Donde dobla lo obtenido por UFS 3.1 es por carril para dar soporte hasta 23.2 Gbs. De hecho, la compañía coreana se vanagloria de este avance al declara que este ancho de banda es perfecto para móviles 5G que requieren una gran cantidad de procesado de datos.
Esta tecnología se utilizará abiertamente en la Realidad Virtual, Realidad Aumentada y aplicaciones relacionadas con la automoción. Otra de las ventajas, vía GSMArena, es que empezaremos a ver cada vez más móviles con 512 GB y de 1 TB al dar soporte a estas cantidades de memoria.
Ahora bien, hasta el tercer trimestre del año no comenzará la producción en masa de esta tecnología para que sea a finales de año, o ya en la serie Galaxy S23, cuando comencemos a tener terminales que dispongan de la misma.
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