Samsung desarrolla nuevas memorias SSD con tecnología V-NAND de más de 100 capas
MADRID, 12 (Portaltic/EP)
Samsung Electronics ha anunciado este lunes que ha comenzado la producción en masa de sus memorias en estado sólido (SSD) para ordenadores de 250GB SATAIII que integra la sexta generación de V-NAND, que ofrece una velocidad más alta, una potencia más baja y con una infraestructura de más de 100 capas.
La sexta generación V-NAND de Samsung proporciona la velocidad de transferencia más alta de la industria, como ha reivindicado Samsung en un comunicado. La nueva arquitectura V-NAND incrementa en un 40 por ciento el número de celdas a la estructura anterior de una única capa de nueve celdas.
La empresa de tecnología ha logrado desarrollar células uniformes de captura de carga flash en 3D (CTF) mediante la construcción de una pila de moldes conductores de electricidad de 136 capas y una perforación de los agujeros cilíndricos.
Samsung, para suprimir las vulnerabilidades de este tipo de tecnología, ha incorporado un diseño de circuito de velocidad optimizado, que permite alcanzar una mayor velocidad de transferencia de datos, alcanzando una duración por debajo de los 450 microsegundos para operaciones de escritura y por debajo de 45 microsegundos para lecturas.
Las nuevas SSDs representan una mejora en el rendimiento del 10 por ciento, mientras que el consumo de energía ha sido reducido en un 15 por ciento. Con este diseño, Samsung podrá ofrecer soluciones V-NAND de próxima generación con más de 300 capas, sin comprometer el rendimiento o la fiabilidad del chip, con solo montar tres de las pilas actuales.
Además, el número de orificios de canal necesarios para crear un chip de 256GB ha disminuido de 930 a 670 con esta nueva generación, de tal manera que permite una reducción del tamaño, una simplificación de pasos en el proceso de fabricación e incrementa la productividad en más del 20 por ciento.
Samsung planea ampliar el alcance de su V-NAND 3D a áreas del mercado automotriz, además del sector de dispositivos móviles de próxima generación y de servidores empresariales.
El siguiente paso de Samsung es ofrecer memorias SSD V-NAND de 3 bits en capacidad de 512GB y eUFS durante la segunda mitad de este año. La compañía también espera incrementar la producción de soluciones V-NAND de sexta generación a partir del próximo año.
"Al llevar nuestra tecnología de vanguardia de memoria 3D a la producción en masa, podemos introducir alineaciones en la memoria que elevan significativamente el listón de la velocidad y la eficiencia energética", dice el vicepresidente corporativo de Samsung Electronics, Celestino García. "Con ciclos de desarrollo más rápidos para los productos V-NAND de próxima generación, queremos comenzar el despliegue de nuestras soluciones basadas en V-NAND de 512 GB de alta velocidad".
