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SSDs de 10 TB, más cerca gracias a Intel y Micron
Intel y Micron han anunciado un proyecto conjunto para fabricar chips de memoria 3D que permitirán SSDs de 10 TB.
27 marzo, 2015 16:05Noticias relacionadas
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El nuevo avance anunciado por Intel permitirá el lanzamiento de SSDs de 10 TB, aunando por fin la velocidad con la alta capacidad de almacenamiento.
Parece que no puede pasar ni un día sin que haya alguna noticia relacionada con los SSD, lo que demuestra hasta qué punto esta tecnología ha conquistado el mercado. Si ya hablamos de los avances de Toshiba con memorias 3D, ahora le toca el turno a Intel.
Se trata de un proyecto conjunto entre Intel y Micron para el desarrollo de sus propias memorias flash NAND 3D; como ya explicamos esto significa que las celdas de memoria no sólo se disponen en un plano de dos dimensiones sino también en capas una encima de otra, asemejándose a rascacielos como dice la propia Intel.
Así ha conseguido Intel los SSDs de 10 TB
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Intel y Micron aseguran que la clave para conseguir una mayor densidad está en que el suyo es el primer diseño de NAND 3D que usa puertas flotantes. Una puerta flotante es un tipo de transistor en una celda que forma parte de la estructura que decide si el valor de esa celda es 1 o 0. Las puertas flotantes llevan décadas usándose en el almacenamiento en 2D y por eso los ingenieros de Intel y Micron han decidido apostar por ellas.
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El resultado es que han sido capaces de apilar 32 capas de celdas para conseguir encapsulados de 256 Gb MLC y de 384 Gb TLC. A efectos prácticos, todo esto significa que estos chips de memoria tienen la densidad más alta de celdas que hemos visto hasta ahora (aunque no de capas ya que Toshiba consiguió 48 capas).
Eso permite chips de mayor capacidad y por lo tanto SSDs en sticks USB de 3.5 TB de capacidad y SSDs de 10 TB de 2.5 pulgadas (el formato habitual). Además, aseguran que esta es la primera memoria NAND 3D más eficiente en costes que la 2D, así que no deberíamos esperar precios inalcanzables cuando los primeros productos lleguen en la primera mitad del 2016.
