Intel revoluciona el almacenamiento: memorias 1.000 veces más rápidas

Intel anuncia un nuevo chip de almacenamiento que permitiría velocidades hasta 1.000 veces más rápidas: así es la tecnología 3D XPoint.

En los últimos años el almacenamiento se ha disparado y su precio ha caído, pero lo cierto es que llevamos usando los mismos chips de memoria desde hace 25 años.

Ahora, Intel y Micron van un paso más allá y anuncian una nueva categoría de chips de memoria no volátiles que, según afirman, revolucionarán el almacenamiento.

Su nueva tecnología se llama 3D XPoint y representa el primer gran cambio en la industria desde que la memoria flash NAND llegó en 1986. Combina lo mejor del rendimiento, densidad, consumo, no volatilidad y coste de producción de las tecnologías de memoria actuales.

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3D XPoint combina lo mejor de las memorias flash NAND y DRAM

En total, Intel asegura que permitirá crear memorias hasta 1.000 veces más rápidas que las flash NAND y 10 veces más que DRAM, una auténtica barbaridad.

Con 3D XPoint se elimina por completo el uso de transistores en los chips, sino que éstos tienen una estructura que cambia los bits de un estado de baja resistencia al de alta resistencia con una alta velocidad, como si se tratase de un tablero de ajedrez tridimensional que permite obtener memorias hasta 10 veces más densas.

No vamos a ver productos comerciales como SSDs o smartphones con la tecnología 3D Xpoint de Intel a corto plazo. De momento sus primeras aplicaciones serán en el campo de la salud y el procesamiento de grandes cantidades datos donde se necesita acceso veloz una cantidad ingente de información.

Puedes leer más sobre esta tecnología, su funcionamiento y su aplicación en el mundo real en la nota de Intel.