Samsung y Crossbar preparan memoria de almacenamiento mas rápida y espaciosa

Uno de los campos en los que mas pueden mejorar los dispositivos móviles es el almacenamiento interno. Hay muchas razones técnicas por las que llevemos unos años en los que la cantidad máxima de memoria incluida son 64 GB, pero hay incluso mas razones económicas. Y es que incluir mas memoria en un smartphone no solo es caro, sino que impide a las compañías ofrecer almacenamiento en la nube a mejores precios. Que dispositivos tan buenos como el Nexus 4 incluyan poca memoria es porque Google quiere que usemos Drive para guardar nuestros archivos, por ejemplo.

Sin embargo, hoy os traemos dos ejemplos de compañías que están investigando la siguiente generación de chips de memoria, y aunque tienen puntos en común, son dos métodos diferentes y con diversas expectativas. Empecemos por la que probablemente llegará primero, porque sigue estando basada en las tecnologías actuales: la memoria NAND Flash en 3D de Samsung. La memoria NAND tiene un problema grave de espacio, ya que la miniaturización solo puede llegar hasta ciertos extremos antes de que las celdas de memoria se corrompan entre sí. Así, si queremos añadir mas memoria no nos queda mas remedio que ocupar mas espacio, algo que no siempre es posible en el entorno móvil.

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La solución de Samsung consiste en no expandirse solo por un plano, sino por tres. La memoria se coloca en una estructura 3D (de hasta 24 capas) que deja el espacio suficiente entre celdas como para no resultar un problema, al mismo tiempo que aumenta la cantidad de espacio disponible. Igualmente, al tener mas margen, las velocidades pueden aumentar considerablemente, en el rango del doble de velocidad de escritura que las NAND actuales. La fiabilidad en cambio aumenta entre dos y diez veces. Los primeros chips ofrecen una capacidad de 16 GB, pero se espera que esta aumente rápidamente. Los primeros dispositivos con este tipo de memoria deberían llegar pronto.

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En cambio, la siguiente solución llega de parte de un pequeño proyecto de la compañía Crossbar, y supone mas bien una revelación de cómo serán las memorias integradas del futuro. Se llama RAM resistiva (RRAM), y si los planes de sus creadores salen bien, debería ser la sucesora a la memoria NAND, y es porque en el tamaño de un sello postal es capaz de almacenar hasta 1 TB de memoria. Una cifra espectacular que, al igual que la solución de Samsung, se consigue en parte gracias a una arquitectura 3D en la que las celdas están colocadas en varios planos. Además, la velocidad será 20 veces mayor que la de los chips actuales necesitando de menos energía para mantener los datos guardados. Sin embargo, el pequeño tamaño de la compañía arroja dudas acerca de su capacidad de trabajar con las grandes, aunque ya han trabajado con varias compañías para integrar RRAM en varios SoCs (System-on-chip).

Fuentes | El Androide Libre y bit-tech