Smartphones con terabytes de almacenamiento serán posibles con la RRAM

De todos los componentes de un smartphone, el mas caro y difícil de conseguir no es el procesador, ni siquiera la pantalla: son los chips de memoria, tanto RAM como de almacenamiento. Ese es el motivo por el que la cantidad de almacenamiento no haya aumentando sustancialmente en los últimos años, incluso en modelos de gama alta. Si tenemos suerte, tendremos una ranura microSD para aumentar el almacenamiento, pero incluso estas tarjetas se pueden quedar pequeñas con el tamaño de los archivos que podemos usar en dispositivos modernos.

Los problemas de almacenamiento se acabarán

Científicos de la Universidad Rice en Texas aseguran haber encontrado la solución: un nuevo tipo de memoria RAM resistiva, RRAM. Al igual que la memoria flash, la RRAM sigue almacenando los datos sin necesidad de un suministro constante de energía como necesita la memoria RAM; la diferencia básica es que mientras la memoria flash almacena los bits en forma de carga, la RRAM los almacena en forma de resistencias eléctricas. Esto permite meter mas bits en el mismo espacio, permitiendo almacenar un terabyte de datos en un chip no mayor que un sello, y acceder a ellos a mayor velocidad.

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Suena muy bien, ¿verdad? LA RRAM ya era conocida entre los fabricantes, pero hasta ahora contaba con un punto negativo demasiado grande: la dificultad de su fabricación (y por lo tanto su altos costes) debido a las altas temperaturas y voltajes necesarios. Aquí es donde entra el desarrollo de los investigadores de Rice, un nuevo método de fabricación que puede realizarse a temperatura ambiente y con voltajes mucho mas bajos. El proceso consiste en crear una capa de dióxido de silicio llena de pequeños agujeros, de unos cinco nanómetros; esta superficie porosa es recubierta de metal que sirva de electrodos, y se le aplica voltaje para que ocupe los poros formando la conexión entre los dos lados. Otro pequeño voltaje rompe esa conexión y permite que el silicio se forme en el hueco; cada uno de estos huecos ahora rellenos de silicio es un bit, cuya conductividad puede cambiarse con una pequeña descarga de bajo voltaje. El bit permanecerá en esa posición hasta que sea reescrito por otra descarga.

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Este método de fabricación se ha definido como “un gran avance”, que coloca a la RRAM como una opción muy a tener en cuenta para el almacenamiento de los futuros smartphones y tablets.

Fuente | Rice University