Samsung produce la primera memoria RAM DDR4 de 20 nm de hasta 32 GB por módulo

Un año después, a la memoria DDR4 aún le está costando meterse en el mercado; en la actualidad no merece la pena pagar mas por este tipo de memoria RAM cuando DDR3 sigue ofreciendo velocidad a precios mas baratos. Samsung cree que ha dado en el clavo para aumentar la popularidad de DDR4, y la clave está en el proceso de fabricación de 20 nm, con el que pretende solucionar los problemas de juventud que tiene la especificación. Ahora Samsung acaba de anunciar que ya ha iniciado la producción de los primeros chips de memoria de 8 GB basados en un proceso de fabricación de 20 nm, por lo que la situación del mercado podría cambiar muy rápidamente.

El futuro cercano de la memoria RAM

La clave está en que gracias a un proceso de fabricación mas pequeño las nuevas memorias alcanzan un rendimiento superior, una mayor densidad y una mejor eficiencia energética; seguro que habéis leído halagos semejantes cuando hablamos de procesadores, pero los chips de memoria también pueden beneficiarse de esas ventajas. Tanto, que puede ser la clave para que finalmente DDR4 despegue. Por comparar los primeros módulos salidos de fábrica son de 32 GB cada uno, con una velocidad de 2400 Mhz en vez de los 1866 Mhz de la generación DDR3 de la misma compañía. Esta velocidad ya ha sido alcanzada por otros fabricantes, pero implica usar disipadores por la cantidad de calor generada, un problema que se espera sortear con estos chips a 20 nm.

Además, usando la tecnología 3D que Samsung ya ha usado en unidades SSD también puede ser aplicada a la memoria RAM, con la que se esperan conseguir módulos de hasta 128 GB para configuraciones de varios terabytes. Por supuesto el usuario medio no necesita tanta memoria RAM, sino que este desarrollo será mas útil para las empresas que cuenten con grandes servidores. Además, si pese a todo DDR4 no nos atrae Samsung también ha anunciado chips de 4 GB basados en el mismo proceso de fabricación de 20 nm.

Fuente | Tom’s Hardware